در معماریهای پیشرفته خودروهای برقی، تلاش برای افزایش سرعت کلیدزنی و بهرهوری بیشتر میتواند CMTI را به یکی از گلوگاههای اصلی طراحی تبدیل کند.
با حرکت پلتفرمها بهسمت سامانههای ۸۰۰ ولتی، تغییرات بسیار سریع ولتاژ یا dv/dt که توسط نیمهرساناهای دارای گاف انرژی پهن یا Wide Bandgap – WBG ایجاد میشوند، گذراهای فرکانسبالای شدیدی به وجود میآورند.
از مهمترین این نیمهرساناها میتوان به کاربید سیلیکون یا SiC و نیترید گالیم یا GaN اشاره کرد.
این جهشهای ولتاژی ممکن است از طریق ظرفیتهای خازنی ناخواسته موجود در سدهای ایزولاسیون، مانند آنچه در درایورهای گیت یا ایزولاتورهای دیجیتال وجود دارد، عبور کنند.
این موضوع میتواند موجب رخ دادن وضعیت خطرناک Shoot-through شود؛ حالتی که در آن هر دو کلید قدرت بهطور همزمان هدایت میکنند. چنین اتفاقی میتواند خرابی شدیدی در اینورتر محرکه خودرو ایجاد کند.
GaN به دلیل سرعت کلیدزنی بسیار بالای خود، در برابر این مشکل آسیبپذیرتر است.
برای محافظت از مدارهای کنترلی و ماژولهای گرانقیمت WBG، طراحیهای مدرن خودروهای برقی به درایورهای گیت ایزوله با مشخصات CMTI بسیار بالا نیاز دارند.
این مقدار معمولاً بیشتر از ۱۵۰ کیلوولت بر میکروثانیه است و باید هم برای گذراهای مثبت و هم گذراهای منفی مشخص شده باشد.
این اقدام حفاظتی، مستقیماً بر برد حرکتی خودرو، قابلیت اطمینان و عملکرد آن تأثیر میگذارد.